2026年6月2日、米商務省と米国立標準技術研究所（NIST）によって、半導体の極端紫外線（EUV）露光（リソグラフィー）向けの次世代光源を開発するスタートアップ企業「xLight」（本社：カリフォルニア州パロアルト）に、CHIPS・科学法に基づく1億5,000万ドルの連邦助成金の最終合意を結んだと発表がありました。ニューヨーク州アルバニーのナノテク施設に、世界初となる自由電子レーザー（FEL）の試作機を建設・実証する計画です。（プレスリリース）
- 米商務省とNISTが、次世代EUV露光向けの自由電子レーザー（FEL）を開発するxLightに、CHIPS・科学法に基づく1.5億ドルの助成の最終合意を結んだことが発表された。
- 資金は、ニューヨーク州アルバニーのアルバニーナノテク複合施設でのFEL試作機の建設と実証に使われることが示された。
- FELは、現行のEUV光源より出力・効率・歩留まりを大きく改善できる可能性を持つ革新的な技術とされた。
半導体製造の核心技術である露光（リソグラフィー）の限界を、新しいレーザーで突破しようとする動きが本格化した。米商務省とNISTは、次世代EUV光源を開発するスタートアップ「xLight」に対し、CHIPS・科学法に基づく1億5,000万ドルの助成の最終合意を結んだと発表した。xLightは2021年創業のパロアルト拠点の企業で、パット・ゲルシンガー元インテルCEOが会長を務める。
半導体の微細加工には、EUV（極端紫外線）を使ったリソグラフィーが不可欠だ。現在は、オランダのASMLがほぼ独占する光源装置が使われているが、さらなる微細化に向けて出力・効率の限界が指摘されている。xLightが開発する「自由電子レーザー（FEL）」は、より高い出力と効率、低コストで次世代の露光を実現する可能性を持つ。同社CEOは、既存技術の10倍のエネルギー効率を目指すとしている。
今回の助成は、ニューヨーク州アルバニーのアルバニーナノテク複合施設（EUVの加速器サイトを含む）でのFEL試作機の建設と実証に充てられる。2028年からNYCreatesと連携して試作機を稼働させ、現行の高開口数EUV露光機を使った実証と、将来のサブEUV波長リソグラフィーへの展開を目指す。資金提供の条件として、商務省はxLightの株式1.5億ドル相当を取得する。
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